수십 년 동안 물질 상태 제어는 온도, 압력 또는 화학적 변형에 의존해 왔다. 이러한 방법들은 느리고, 극단적이며, 대부분 비가역적이었다. 그러나 초고속 레이저 분광학의 등장으로 광학적 제어 하에 양자 상을 조율하는 비전이 제시되었다. 최근 슈퍼소닉 정밀 주사 터널링 현미경(Scanning Tunneling Microscope, STM) 팁을 통해 단일 사이클 테라헤르츠(THz) 펄스를 단층 텅스텐 디텔루라이드(WTe₂)에 집속하여 원자 수준(약 7pm 정밀도)에서 물질의 '토폴로지 상태'를 전환하는 연구는 중요한 이정표가 된다.

여기서 토폴로지 상태란 물질 내 전자의 움직임이 외부 환경 변화(온도, 압력, 결함 등)에도 쉽게 깨지지 않는 '안정적인 전자적 성질'을 뜻한다. 이는 물질의 결정 구조와 전자의 상호작용으로 생기는 고유한 양자적 특성으로, 전자 흐름의 새로운 경로를 만들거나 특정 전자 상태를 유지하는 데 활용된다. 즉, 외부 교란에도 잘 보존되는 ‘양자적 보호 상태’라고 이해할 수 있다.

이번 연구는 초고속 광학과 원자 수준 공간 분해능을 결합하여 실시간 전자 상(phase) 제어를 가능케 하며, 기존 방법으로는 상상할 수 없었던 가능성을 열어주고 있다.

이번 연구는 최신 주사 터널링 현미경 시스템과 초고속 테라헤르츠 광원(single-cycle pulse)을 통합하여 나노미터 스케일의 STM 팁-시료 접합부에 직접 전달하는 구조로 설계되었다. STM 팁은 근접장 안테나 역할을 하며 자유 공간의 테라헤르츠 전기장(약 20 V/cm)을 접합부에서 약 1 V/nm 수준으로 증폭시킨다. 연구진은 초고속 레이저와 테라헤르츠 발생을 동기화하여 <200 fs의 펄스 폭을 달성했으며, 시간 영역 분광법으로 0.26, 0.60, 2.24 테라헤르츠 등 특정 주파수 대역에서 물질의 초고속 유전 응답을 측정하였다.

팁-증강 신호 덕분에 한 사이클 이하의 시간 해상도로 전류 변화를 스냅샷으로 캡처할 수 있으며, 이를 통해 실시간 전자 동역학을 추적할 수 있다. 이 장치는 또한 극저온 상태에서 텅스텐 디텔루라이드의 결정 상태를 가역적으로 전환하면서도 STM 이미지를 원자 해상도로 제공한다.

텅스텐 디텔루라이드는 전이금속 디칼코게나이드 단층 물질로, 광에 의해 금속성 또는 비정상적 상태에서 양자 스핀 홀 상으로 전이할 수 있다. 이번 연구에서는 STM 팁을 통한 단일 사이클 테라헤르츠 펄스를 집중시켜 원자 수준(약 7 ± 3 pm)에서 토폴로지 상태를 가역적으로 전환하는 데 성공했다. 이는 명확한 위상 전환 특성으로 나타났으며, STM 전류 측정을 통해 국소적인 전자 상태 밀도 변화를 확인하였다. 이 전환은 단일 테라헤르츠 펄스 사이클 내에서 발생하며, 양자 상을 초고속으로 제어하는 것이 가능함을 입증하였다. 이는 광에 의해 유도되는 대칭성 전환이라는 기존 이론을 실험적으로 검증한 것으로, 양자 상태 제어의 새로운 패러다임을 제시한다.

단순한 상태 전환을 넘어 테라헤르츠‑STM은 물질의 동적 반응을 시공간 양자 지도(quantum landscape)로 시각화할 수 있다. 연구진은 텅스텐 디텔루라이드의 결함 부위에서 테라헤르츠-증강 파형을 수집하여 서브나노미터 공간 해상도와 단일 사이클 이하 시간 해상도로 동적 특성을 관찰하였다. 시간 영역 데이터를 푸리에 변환하면 다중 테라헤르츠 대역에서의 음향 공명 및 플라즈몬 근접장 상호작용 정보를 도출할 수 있다. 이를 통해 실시간 동적 필드 및 새로운 양자 상태의 공간적 변화를 시각적으로 매핑할 수 있으며, 장치는 시료의 구조적 변화와 동적 응답을 피드백 루프 형태로 추적하게 된다.

빛만으로 물질의 결정 구조와 전자 토폴로지를 제어하는 것은 기존 물리학을 뛰어넘는 패러다임의 변화다. 이러한 비접촉식 초고속 제어는 양자 스위치, 토폴로지 메모리, 초저전력 양자 논리 게이트 개발로 이어질 것이다. 텅스텐 디텔루라이드에서 입증된 원자 수준의 정밀성과 초고속 제어는 기존 전자 장치를 넘어, 최소 에너지 손실로 동작하는 원자 크기 접합부를 구현하는 데 기여할 것이다. 또한 이는 와일 반금속, 강유전체, 초전도체, 자성체 등 다양한 양자 물질에 응용될 수 있으며, 양자 나노전자공학과 양자정보 시스템 개발에 폭넓은 가능성을 열어줄 것이다.

테라헤르츠‑STM 기술은 현재까지는 초고진공(UHV)과 극저온 환경에서만 실험이 가능하다. 이를 상용 소자에 통합하기 위해서는 온칩 테라헤르츠 기술 개발, MHz 이상의 반복률 향상, 위상 안정화, 장기 동작 안정성 검증이 필요하다. 열 관리, 패키징 기술, 주변 환경 안정성 문제도 해결해야 한다. 그러나 초고속 대칭성 전환 이론과 이번 실험에서 제시된 성능 지표는 이러한 제어 원리를 실리콘 회로나 양자 센서 플랫폼으로 이전할 수 있는 가능성을 입증하고 있으며, 향후 5\~10년 내 상용화가 이루어질 것이다.

단층 텅스텐 디텔루라이드에서 입증된 테라헤르츠 펄스 기반 원자 수준 토폴로지 상태 전환은 새로운 기술적 지평을 열었다. 이는 단순 측정이 아니라 빛으로 물질의 근본적 양자 상태를 제어하는 기술로서, 기존의 정적인 물질 개념을 넘어 ‘동적이고 가역적인 상태 제어’가 가능함을 보여준다. 이러한 기술은 향후, 빛의 파형 만으로 토폴로지적 질서를 제어하고, 실온에서도 원자 해상도로 초고속 전환을 구현하는 새로운 양자 원천 기술로 발전할 것이다.

arXiv, November 12, 2024, “Terahertz control of surface topology probed with subatomic resolution,” Vedran Jelić et al.

For decades, controlling material states has relied on temperature, pressure, or chemical modifications—methods that are slow, extremal, and often irreversible. With the advent of ultrafast laser spectroscopy, however, scientists envisioned steering quantum phases under optical control. The recent breakthrough using ultra-short terahertz (THz) pulses delivered via a super‑sonic precision scanning tunneling microscope (STM) tip marks a pivotal milestone. By focusing single-cycle THz pulses onto an STM tip in direct proximity to a monolayer WTe₂, researchers achieved atomic-scale switching of the material’s topology with astonishing \~7 pm precision. This innovation fuses ultrafast optics with spatial resolution at the atomic scale, enabling real-time manipulation of electronic phases—a capability unthinkable with previous methods.

The experimental framework integrates a state-of-the-art STM with an ultrafast THz source capable of delivering single-cycle pulses directly into the nanoscale tip-sample junction. The STM tip functions as a near-field antenna, boosting free-space THz fields (\~20 V/cm) to \~1 V/nm within the junction([arxiv.org][1]). Researchers synchronize ultrafast lasers and THz generation to achieve pulse widths <200 fs, then conduct time-domain spectroscopy to probe ultrafast dielectric responses at distinct THz frequencies (0.26, 0.60, 2.24 THz). Tip-enhanced signals enable current modulation snapshots on a sub-cycle timescale—capturing real-time electron dynamics. Crucially, this setup permits reversible toggling of WTe₂’s crystal handling at cryogenic temperatures while preserving atomic resolution via STM images corrected for current phase shifts.

WTe₂, a monolayer transition metal dichalcogenide, hosts a topological quantum spin Hall phase that can shift to a metallic or trivial state under optical influence. By concentrating single-cycle THz pulses through the STM tip, researchers observed reversible phase switching with atomic precision (≈7 ± 3 pm)([arxiv.org][1]). This switching manifests in distinct topographic and spectroscopic signatures: atomic-scale lattice reconfigurations and changes in local density of electronic states measured in the STM current. The topology toggles back and forth within a single THz cycle, confirming coherent, ultrafast phase control. This experimental feat validates theoretical predictions of light-driven symmetry switching in quantum materials, representing a new paradigm of quantum state manipulation.

Beyond discrete switching, THz-STM enables mapping dynamic material responses in a full spatiotemporal “quantum landscape.” Researchers captured tip-enhanced THz waveforms along defect sites in WTe₂, resolving sub-nanometer spatial and sub-cycle temporal features([researchgate.net][2]). Fourier-transforming time-domain data yields hyperspectral insights into phonon resonances and plasmonic near-field interactions across multiple THz bands. This approach yields real-space maps of dynamic fields and emergent quantum states. By sampling current rectification at key THz phases, the system acts as both actuator and probe—providing a feedback loop from nanoscale structure to ultrafast dynamics in real time.

Controlling a material’s crystal structure and electronic topology using light alone is a paradigm shift. Such remote, ultrafast switching keys possible realization of 'quantum switches', 'topological memory', and 'ultra-low energy quantum logic gates'. The precision demonstrated in WTe₂ suggests future devices could harness THz pulses to toggle operational states in atom-sized junctions faster than conventional electronics, and with minimal energy dissipation. Moreover, this strategy offers a universal method for manipulating quantum phases in materials like Weyl semimetals, ferroelectrics, superconductors, and magnets—opening wide possibilities in quantum nanoelectronics and quantum information systems.

Despite its promise, the THz-STM method remains confined to clean, cryogenic ultra-high vacuum setups. Scaling to ambient or device-integrated conditions will require developing on-chip THz coupling, improving repetition rates beyond MHz, and establishing feedback-controlled CEP stabilization for consistent pulse delivery. Long-term stability, heat management, and device packaging present additional hurdles. Nonetheless, theoretical frameworks—such as ultrafast symmetry switching guides—and THz‑STM performance benchmarks validate the feasibility of transferring these quantum control principles into solid-state circuits, coherent computing, or sensing platforms within the next five to ten years.

The successful demonstration of 'sub-nanometer, THz-driven reversible topological switching in WTe₂' establishes a new frontier. It goes far beyond ultrafast measurement—ushering in 'active control of matter’s fundamental quantum nature' using purely optical means. This technique redefines how we think about material states—not as fixed outcomes of static conditions, but as dynamically accessible configurations controlled by the waveform of light. In doing so, it sets a profound benchmark for future electronics: devices that switch topological order at near-light-speed, at room‑temperature and with atom-level precision—a leap toward truly quantum‑native technologies.

arXiv, November 12, 2024, “Terahertz control of surface topology probed with subatomic resolution,” Vedran Jelić et al.